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標題: [硬體動態] DDR3时代和即将到来的DDR4时代 [打印本頁]

作者: bw201020 時間: 2012-3-23 02:11 AM 標題: DDR3时代和即将到来的DDR4时代

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。
　　一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计
　　1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存。

即将到来的DDR4时代　　

内存厂商预计在2012年，DDR4时代将开启，起步频率降至1.2V，而频率提升至2133MHz，次年进一步将电压降至1.0V，频率则实现2667MHz。
　　新一代的DDR4内存将会拥有两种规格。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

作者: feizai210 時間: 2012-3-23 07:49 AM

应该用不了

作者: 啊里安9092 時間: 2012-3-23 11:37 AM

thanks so much mate and so support

作者: david1387 時間: 2012-3-24 10:12 AM

Thank you so much.Looking forward

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