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挑選DDR記憶體 實戰教學
第一招：記憶體顆粒最重要
當然，記憶顆粒(晶片)影響到記憶體本身的性能及超頻能力，本文章的主要目的是讓讀者清楚地了解目前每個廠商的主流DDR晶片的超頻能力和工作時序，幫助不同層次的使用者們找到適合他們的記憶體產品，希望能夠以此文給大家最大的幫助。
一. Winbond（華邦）系列
Winbond（華邦）是台灣著名的記憶體晶片生產商，該公司生產的DDR記憶體顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒辦法取代的，該公司的BH-5記憶體晶片已經成為高檔記憶體的代名詞。下面給大家帶來華邦公司的幾款享有盛名的記憶體顆粒。
1．BH-5 (晶片上文字 W94xxxxBH-5)
BH-5是華邦公司最出名的記憶體顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的記憶體顆粒！這些顆粒以其超強記憶體參數而著稱，並且對於電壓相當地敏感；大多數的BH-5顆粒可以工作在2-2-2-X的參數下，當然在3.2-3.4V高壓下，部分採用BH-5顆粒的極品記憶體甚至工作在280MHZ的頻率，並且仍然維持2-2-2-x這樣的時序。當然這樣體質的BH-5顆粒還比較少見，對於記憶體的整體要求也相當高。
如果你的主板不支持2.8V以上的記憶體電壓調節，採用BH-5顆粒的記憶體或許不太適合你，但是對於那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR booster可以幫助他們搾干BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓你的BH5達到DDR500,2-2-2-X以上，當然筆者不推荐正常使用中採用這麼高的電壓（畢竟大多數採用BH5顆粒的記憶體預設電壓為2.5-2.6V之間）。
2003年是BH-5顆粒產量最多的一年，但目前華邦已經宣布停產BH-5顆粒，因此現在的市面上新售記憶體中採用BH-5的比例非常少，多數出現在售價超貴的高端記憶體中，如 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Corsair XMS, TwinMos, Buffalo 以及極少數低端記憶體產品中；當然另外一種尋找BH-5記憶體的方法就是在銷售商的庫存產品中，或二手市場，網友之間的交易來獲得。
2.CH-5 (晶片上文字 W94xxxxCH-5)
CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以后推出的另外一款試用於DDR400記憶體產品的記憶體晶片，可以稱之為BH-5的縮水版，為什麼這樣說呢？因為CH-5超頻后工作參數一般只能達到2-3-2-X,頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠；並且對於電壓的敏感程度比不上BH-5，高於3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現象雖然主要還是記憶體顆粒的本身體質來決定的，但是和記憶體廠商的PCB板設計，用料還是脫不了干系的。
不同批次的CH-5顆粒的差別也很大，一些少數CH-5顆粒同樣可以達到BH-5所能夠達到的成績，當然幾率非常小。目前華邦仍然在繼續生產CH-5顆粒，在BH-5停產后，縮水版的CH-5也逐漸被很多高端記憶體所選購，成為新一代的“極品”，不少採用CH-5顆粒的記憶體在適當的加壓后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS, Kingston Hyper X以及其他幾個高端品牌的記憶體產品的一些型號均採用了CH-5顆粒。
3．BH-6 (晶片上文字 W94xxxxBH-6)
BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門大哥BH-5，大多數BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數下，並且在3.2-3.4V電壓下可以穩定工作在240-250MHz。
不過由於華邦在推出BH-6顆粒不久后由於產能不足停止了該型號顆粒的生產，因此相比BH-5顆粒來說BH-6顆粒數量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston value Ram PC2700等型號的記憶體產品上採用了BH-6顆粒。
4.CH-6 (晶片上文字 W94xxxxCH-6)
CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列一貫的優秀品質。CH-6在大多數情況下和CH-5很相似，不過不太容易穩定在2-2-2-X的時序，和CH-5一樣同
樣對於電壓不是很敏感，最高的工作頻率應該是220MHz，2-3-2-X的時序。CH-6面對的是性價比比較高的市場，在一些較低端的記憶體產品上比較常見，如Kingston value Ram,，Corsair value Ram以及Mushkin Basic系列。
5. UTT
UTT是華邦最新推出的DDR記憶體顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛單面分布的方式，因此BH-5系列記憶體的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無論是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這一優勢在1GB記憶體成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對付主流的3D游戲和軟體應用已經捉襟見肘。
UTT顆粒在辨認上顯得有點困難，你可以通過印刷在顆粒表面的商標很容易地辨認出上面介紹的華邦其他四款記憶體晶片，但是UTT的顆粒印刷種類比較多，在尋找的時候會帶來不小的難度。UTT常見的顆粒表面印著M.Tec或者Twinmos的商標，並且擁有華邦系列記憶體的特征（顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，記憶體的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片），告訴大家一個小祕訣，一般具備華邦記憶體顆粒特征但是沒有印刷BH-5/CH-5的DDR400顆粒通常就是UTT顆粒了。一但擁有了採用UTT顆粒的記憶體，你會發現擁有1GB容量並且可以工作在275MHz 2-2-2-X時序的記憶體是多麼值得興奮的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多種品牌的低價記憶體上看到它的身影。1GB容量的售價在110美元左右，非常超值。
華邦系列記憶體顆粒的特征－顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，記憶體的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片
第二招：挑選優質PCB
內存顆粒編號不足以判別真假，很多假內存的顆粒出廠時都是白片，字都是后刻上去的。判別內存顆粒的真假主要看內存兩側的缺口處的特徵，每一種顆粒都是獨特的，在缺口處也有很多不明顯的激光刻上的編號，編號也可用來判別真假。舉例真現代的顆粒沒有缺口，在顆粒右下角上有圓形小凹坑，真品內存的晶片圓形小凹坑很小，而假冒內存的晶片圓形小凹坑很大。
一般而言6層板比4層板好，6層抗訊號干擾性較強，要區分內存用的是6層或4層，單從外表來看很難區分，一般來說，4層比6層來得較薄。且4層基板的背面顯現訊號線會較多。所以建議大家還是選購６層基板的記憶體較好。 |
發表於 2008-10-3 01:11 PM
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發表於 2008-10-3 01:52 PM
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