HUAWEI 即將更新其伺服器處理器鯤鵬系列。鯤鵬920最早發佈於2019年,而新一代的鯤鵬930 預計將帶來大幅升級,甚至有可能採用 5nm 製程工藝。% u" n [6 C* [: G2 O' u# @# u0 v
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. x8 k" I R/ R1 Y7 B5 S 從爆料來看,鯤鵬930 的封裝尺寸約為 77.5mm x 58.0mm,整體體積較大,主要原因在於其採用了 Chiplet(小處理器)設計,由四個獨立處理器組合而成。整個封裝包括四個計算小處理器,總面積約 252.3mm²,以及一個較大的 I/O 晶片,面積約312.3 mm²。與上一代相比,I/O 晶片的面積增大了約 81.26%,以支援多達 96個 RAM 通道,顯著提升數據吞吐能力。每個計算處理器容納 40 個核心,基於 HUAWEI 自研的「泰山」架構,整體實現 120核規格,並配備多級緩存系統。從內核數量來看,鯤鵬930 相比鯤鵬920 提升約兩倍,這一升級很可能得益於 5nm 工藝帶來的更高 SRAM 密度。如果設想成立,那麼這一工藝有望應用於 Kirin 9300 處理器。
$ u( W, w! _: X! h6 t( O2 mtvb now,tvbnow,bttvb 值得關注的是,鯤鵬930 可能採用中芯國際 N+3 工藝製造。該工藝晶體管密度約 125MTr/mm,介於台積電 N 6與 Samsung 5nm 之間,可媲美 5.5nm 級別技術。儘管在能效上仍與國際頂尖工藝存在一定差距,但這一進展標誌著中國在 FinFET 先進製程方面取得關鍵突破。
. S( Y# a% J% M( V" ^/ N+ S有點人會認為將 N+3 看待成等效的 5nm,其實際性能與能效更接近台積電的 N7P 和 N6 工藝。在相同晶體管數量下,能效可能仍落後台積電 N5/N4 約 15%–20%,主要受限於 EUV 光刻設備的缺失所帶來的工藝複雜度不足。若從並不能獨立生產的國產晶片的角度,取得這一進展已實屬不易。 |