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Samsung 與美國晶片公司合作，有望切底改善 3nm 良率超越台積電
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作者:
sun7005
時間:
2022-11-23 09:54 AM
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Samsung 與美國晶片公司合作，有望切底改善 3nm 良率超越台積電
曾經 Samsung 可是一大晶片巨頭，不僅市場份額大，而且口碑也一直不錯。不過如今卻沒落，最終不抵台積電。11 月19 日消息，韓媒 Naver 報導，Samsung 已經與美國的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以便能夠提高其半導體晶片在生產過程中的良率，望重新贏得市場，並在 3nm 工藝上超越台積電。
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事實上，Samsung 電子先進製程良率非常低，自從 5nm 開始就一直存在問題，到 4nm 後問題更是嚴重，其中核心問題就是良率低，據傳 3nm 至今的良率甚至還不到 20%，導致量產進度陷入瓶頸。
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因此 Samsung 希望能通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助 Samsung 進行前端（front-end）工藝和晶片性能改進。
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據了解，這家美國公司提供晶片鑑定評估和 ESD（靜電放電）預防技術。 ESD 是造成半導體晶片缺陷的主要原因之一，是由製造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。
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據報導，Samsung 在晶片設計和生產過程中已經與 Silicon Frontline 公司合作了很長一段時間，並且也取得了令人滿意的結果。
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目前 Samsung 已經在晶片驗證過程中使用了該公司的最新技術，並且有望切底改善良率低的問題。
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事實上，Samsung 電子先進製程良率非常低，自從 5nm 開始就一直存在問題，到 4nm 後問題更是嚴重，其中核心問題就是良率低，據傳 3nm 至今的良率甚至還不到 20%，導致量產進度陷入瓶頸。
因此 Samsung 希望能通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助 Samsung 進行前端（front-end）工藝和晶片性能改進。